正规股票杠杆平台 新洁能:公司的SiC MOSFET是平面栅结构
2025-02-02每经AI快讯正规股票杠杆平台,有投资者在投资者互动平台提问:请问公司SiC MOSFET制造技术是平面型还是沟槽型? 新洁能(605111.SH)1月24日在投资者互动平台表示,投资者您好!公司的SiC MOSFET是平面栅结构。感谢您的关注。 (记者 谭玉涵) 免责声明:本文内容与数据仅供参考,不构成投资建议,使用前核实。据此操作,风险自担。
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